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數字化深能級瞬態(tài)譜儀DLTS

簡要描述:半導體技術的一個重要目標是減少所有構成半導體器件中,晶體和非晶層中固有的和因生產工藝引起的缺陷。雜質、晶界、晶面等引起的缺陷會導致陷阱的產生,陷阱可以俘獲自由電子和空穴。即使?jié)舛确浅5?,陷阱也能ji大地改變半導體器件的性能。數字化深能級瞬態(tài)譜儀DLTS是現(xiàn)在一種非常通用的技術,可用于測定與陷阱相關的幾乎所有參數,包括密度、熱界面(熱發(fā)射率)、能級和空間剖面等。

  • 產品型號:
  • 廠商性質:代理商
  • 更新時間:2020-08-26
  • 訪  問  量:1589

詳細介紹

    半導體技術的一個重要目標是減少所有構成半導體器件中,晶體和非晶層中固有的和因生產工藝引起的缺陷。雜質、晶界、晶面等引起的缺陷會導致陷阱的產生,陷阱可以俘獲自由電子和空穴。即使?jié)舛确浅5?,陷阱也能ji大地改變半導體器件的性能。數字化深能級瞬態(tài)譜儀DLTS是現(xiàn)在一種非常通用的技術,可用于測定與陷阱相關的幾乎所有參數,包括密度、熱界面(熱發(fā)射率)、能級和空間剖面等。

主要特點

●快速而靈敏地檢測半導體中的電活性缺陷

●高靈敏度:體陷阱檢測限< 109 atoms/cm3;

●具有低至3微秒的快速響應時間

●具有對過載的快速恢復能力以及對泄露電流的高免疫能力

●快速溫度掃描能力:每8分鐘100K且不影響靈敏度

●高達60dB的背景電容抑制能力度 

●數字采集包括:16位分辨率,1毫秒的采樣增量,50倍的時間跨度,和不限平均點數的平均瞬態(tài)

●單次溫度掃描可同時記錄不同發(fā)射率窗下的8幅譜圖

 

數字化深能級瞬態(tài)譜儀DLTS主要應用

  ●PN結                 ●肖特基二極管

  ●MOS管             ●LED

  ●場效應管           ●半導體激光器

  ●高電阻率半絕緣材料    

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